Proces nanošenja i klasiranje

Proces nanošenja i klasiranje

Prskanje, koje se obično odnosi na magnetronsko raspršivanje, pripada postupku prskanja pri niskoj temperaturi. Zahtjev procesa vakuuma u 1 x 10-3 torr, odnosno 1,3 x 10-3 pa vakuumski inertni plin argon (Ar), i plastični osnovni materijal (anoda) i metalni metalni materijal (katoda) i visokonaponski istosmjerni (dc) ), zbog toga što se plamen, plazma, atomska bomba iz plazme u atomski atom metala iz materijala metala, taloži na plastiĉnom baznom materijalu

·           Princip

·           Punjene čestice sa desetinama elektron volta ili višom kinetičkom energijom bombardiraju površinu materijala i ispuštaju ga u gasnu fazu za jetkanje i oblaganje. Broj atoma emitovanih od iona zove se prinos prskanja. Što je viši prinos, brže će biti brzina prskanja. Najviša stopa je za Cu, Au, Ag, a najniža za Ti, Mo, Ta i W. Općenito u 0,1-10 atom / ion.

·           Ioni se mogu generisati istosmjernom žarnom pražnjenjem. Pri stupnju vakuuma od 10-1-10 Pa, visoki napon se primjenjuje između dvije elektrode kako bi se proizveo pražnjenje.

·           Gustina struje u normalnom žarnom pražnjenju se odnosi na katodni materijal, oblik i tlak plina. Ploču treba održavati što stabilnijom.

·           Bilo koji materijal može biti prskanje premazom, čak i materijali sa visokom tačkom topljenja lako se prskaju, ali za metu bez provodnika mora biti RF (RF) ili pulsno (pulsno) prskanje; A zbog slabe električne provodljivosti, snaga prskanja i brzina su niski. Snaga prskanja metala do 10W / cm2, nemetala <5w>

Diode sprej:

Ciljni materijal je katoda, obloženi radni komad i okvir izratka su anoda, a viša brzina oplata može se dobiti samo kada je tlak plina (argon Ar) oko nekoliko Pa ili više

·           magnetronsko prskanje:

·           Na površini meta katode formira se ortogonalno elektromagnetsko polje, gdje je gustina elektrona visoka, a gustina iona poboljšana, tako da se brzina raspršivanja povećava (za red veličine), a brzina raspršivanja može doseći 0,1 - - 1 um / min, a prianjanje filma je bolje nego kod parnog oplate. To je danas jedna od najpraktičnijih tehnologija premazivanja.

·           Ostale tehnologije premazivanja uključuju prskanje prskanjem, reaktivno prskanje i raspršivanje ionskog snopa

·           Oprema i proces obrade mašina (magnetno kontrolisana oplata)

·           Mašina za prskanje se sastoji od vakuumske komore, izduvnog sistema, izvora prskanja i kontrolnog sistema. Izvor prskanja je podijeljen na napajanje i pištolj.

·           Magnetronski pištolj za raspršivanje je podijeljen na planarni tip i cilindrični tip, od kojih je planarni tip podijeljen na pravokutni i kružni tip, stopa iskorištenja ciljnog materijala je 30-40%, a stupanj iskorištenja cilindričnog cilja je> 50%

·           Napajanje raspršivanjem se dijeli na: DC, RF, puls,

·           Dc: 800-1000V (Max) provodnik, može biti katastrofa.

·           Rf: 13.56MHz, neprovodnik.

·           Pulse: široko korišten, najnoviji razvoj

·           Struja raspršivanja, napon ili snaga, i pritisak raspršivanja (5 10-1 - 1,0Pa) treba kontrolisati prilikom raspršivanja. Ako su svi parametri stabilni, debljina filma se može procijeniti.

·           Izbor i tretman ciljnog materijala je veoma važan, čistoća mora biti dobra, ujednačena tekstura, bez mjehurića, defekata, površina mora biti glatka i glatka.

·           Za cilj direktnog hlađenja, treba napomenuti da se ciljni materijal nakon raspršivanja razrjeđuje i može se slomiti, posebno ne-metalni cilj. U principu, najtanji dio mete ne smije biti manji od polovine izvorne ciljne debljine ili 5 mm.

·           Način rada magnetno kontrolisane oplate je sličan onom općeg parnog oplate. Prvo, vakuum se pumpa do 1 10-2pa, a zatim se argoni (Ar) ioni ubrizgaju u bombardiranje ciljanog materijala. Prilikom prskanja pod pritiskom od 5 10-1-1,0 Pa treba obratiti pažnju na struju, napon i pritisak. Na početku, ako postoji iskra u oplati, napon se može polako podići, a zatvarač se može zatvoriti nakon stalnog pražnjenja.

U tom procesu, ionizacija čišćenja inertnog gasa (Ar) i izloženost plastičnog osnovnog materijala na površini nekoliko malih praznih MAO, i kroz elektronsku i plastičnu površinu podloge, čisti su i proizvode slobodne radikale, i održavaju vakuum premazivanjem i struktura strukture površine, površinska struktura asocijacije i slobodni radikali proizvode punjenje i visoku adheziju kombinacije kemijskog i fizičkog stanja, formiraju tanki film na vanjsku površinu čvrsto.

Film se prvo formira punjenjem površinskog supstrata grubo sa plastičnim porama kose i povezivanjem. U poređenju sa običnom oplodnjom, oplata ima prednosti jake adhezije između premaza i podloge - adhezija je više od 10 puta veća od one kod isparavanja. Vakuum isparavanje treba da ispari metal ili oksid metala, a temperatura zagrevanja ne bi trebalo da bude previsoka, u suprotnom, taloženje metalnog gasa u plastičnoj podlozi se zagreva i spali plastičnu podlogu. Čestice prskanja su gotovo slobodne od utjecaja gravitacije, a položaji mete i podloge mogu se slobodno rasporediti. U početnoj fazi formiranja filma, gustina nukleacije je visoka, i može se proizvesti izuzetno tanak kontinuirani film ispod 10 nm. Ciljni materijal ima dugi vijek trajanja i može se automatski i kontinuirano proizvoditi duže vrijeme. Namjenski materijali mogu se izraditi u raznim oblicima, s posebnim dizajnom stroja za bolju kontrolu i najučinkovitiju proizvodnju.

Oplata se koristi visokonaponskim električnim poljem za proizvodnju materijala za premazivanje plazmom, koristeći gotovo sve metale visoke temperature topljenja, legure i okside metala, kao što su: krom, molibden, volfram, titan, srebro, zlato itd. Štaviše, to je proces prisilnog taloženja, pri čemu se ovaj postupak dobija za prevlačenje i adhezija plastične podloge je mnogo veća od metode vakuumskog isparavanja. Međutim, troškovi obrade su relativno visoki.